A ligação paralela de múltiplos dispositivos torna-se desnecessária porque os novos StrongIRFET^™ 2 MOSFETs de potência 80 V e 100 V são a última geração da tecnologia MOSFET da Infineon para uma vasta gama de aplicações, sendo adequados para frequências de comutação baixas como altas. Esta nova tecnologia oferece 40% de RDS (on) melhorado e menos 50% de carga de porta (Qg) em comparação com os dispositivos anteriores StrongIRFET^™. Uma maior eficiência energética assim gerada assegura um melhor desempenho global do sistema.

Correntes nominais mais elevadas permitem uma maior capacidade de corrente, e isto elimina a necessidade de ligar vários dispositivos (em paralelo), resultando em menores custos de lista técnica e economia de PCB. Graças aos diferentes tipos de pacotes (TO-220 FullPAK; em CY2022 adicionalmente: D 2PAK, D 2PAK 7-pinos e DPAK), o correto StrongIRFET™ 2 pode ser encontrado para quase todos os requisitos. Os robustos MOSFET são adequados para uma vasta gama de aplicações de consumo como adaptadores, televisores, ferramentas elétricas e equipamento de jardim, bem como em ambientes industriais e automóveis, como robótica, acionamentos motorizados, gestão de baterias e veículos elétricos ligeiros, por exemplo, e-scooters.

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