Condensadores de cerâmica do KONNEKT™ da KEMET na RUTRONIK

Condensadores de cerâmica do KONNEKT™ da KEMET na RUTRONIK

Os condensadores KONNEKT X7R foram feitos para quando é necessária uma maior capacidade e tensão. 

A tecnologia da KEMET KONNEKT™ é uma tecnologia de gama alta que permite a interligação de componentes sem a utilização de armações metálicasreduzindo assim o ESR, ESL e a resistência térmica dos condensadores. Isto utiliza um material inovador de Sinterização de Fase Líquida Transiente (TLPS) para criar uma solução multichip de montagem de superfície. As aplicações são sistemas de banda larga (WBG), carboneto de silício (SiC) e nitreto de gálio (GaN), Data Center, conversores de ressonância LLC, conversores de tanques comutados, sistemas de carregamento sem fios, sistemas fotovoltaicos, conversores de energia, inversores, DC Link e Snubber.

Os condensadores C0G KONNEKT, também conhecidos como KC-Link com tecnologia KONNEKT, são fabricados com tecnologia BME (BaseMetalElectrodes), não têm polarização DC e nenhum efeito piezoelétrico e mostram apenas uma variação mínima do valor C sobre a temperatura (+-30 ppm/°C) e são adequados quando é necessária a máxima eficiência. Estão também disponíveis para temperaturas até 150 °C e em versões comerciais e automóveis. Estão disponíveis na gama 14-880 nF e em tensões de 500 a 2000 V. Os condensadores U2J CONNECT utilizam também um material cerâmico de Classe I, como NP0 (C0G), com um coeficiente de temperatura N750 (-750+-120 ppm/°C), estendendo a possível gama de valores de C em comparação com C0G até 940 nF e 1,4 µF à voltagem 50 V.

Os condensadores KONNEKT X7R foram feitos para quando é necessária uma maior capacidade e tensão. A última geração de tamanhos 1812 e 2220 também apresenta uma terminação flexível para melhorar a curvatura mecânica e a ciclagem térmica. Como componente X7R Classe II, apresentam uma variação mínima da capacidade (±15%) a uma temperatura ambiente de -5 °C a +125 °C. Os valores variam de 2,4 nF a 20 µF e as tensões são possíveis de 25 V a 3000 V. Para melhorar ainda mais o desempenho, a maioria das peças está disponível numa disposição horizontal e vertical do chip, que é referida como a variante de “baixa perda” porque consegue uma melhoria adicional nos valores de ESR e ESL, tornando possível correntes de ondulação mais elevadas.

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